| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-163 |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 20 V |
| 集电极最大允许电流 | 3A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −20V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 200 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 600mW/0.6W Description & Applications| 20 V low VCE(sat) PNP transistor FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage • High current capability • Improved device reliability due to reduced heat generation APPLICATIONS • Supply line switching circuits • Battery management applications • DC/DC converter applications • Strobe flash units • Heavy duty 描述与应用| 20伏的低VCE（sat）的PNP晶体管 特点 •低集电极 - 发射极饱和电压 •高电流能力 •提高设备的可靠性，由于产生的热量减少 应用 •供电线路开关电路 •电池管理应用 •DC / DC转换器应用 •闪光灯单元 •重载
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS5320T,215 , PNP 晶体管, 2 A, Vce=20 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia（安世）
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 20V 3A 100MHz 1.6W 表面贴装型 SOT-89
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5320X 晶体管,PNP SOT-89
NXP（恩智浦）
PBSS5320T 系列 20 V 3 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-23-3
NXP（恩智浦）
PBSS5320D PNP三极管 -20V -3A 100MHz 200 -400mV/-0.4V SOT23-6/SC-74 marking/标记 52 闪光灯/DC-DC转换器
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
