| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | DFN |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 600 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
| 集电极最大允许电流 | 3A |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
NXP（恩智浦）
18 页 / 0.24 MByte
NXP（恩智浦）
19 页 / 0.35 MByte
Nexperia（安世）
NXP PBSS5330X,115 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=30 V, HFE:100, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5330X 单晶体管 双极, PNP, 30 V, 550 mW, 2 A, 200 hFE
NXP（恩智浦）
PBSS5330X 系列 30 V 3 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-89-3
Nexperia（安世）
单晶体管 双极, PNP, -30 V, 165 MHz, 600 mW, -3 A, 100 hFE
Nexperia（安世）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V 3A PNP LO VCEsat TRANSISTOR
Nexperia（安世）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS5330X/MPT3/REEL 7" Q2/T3 *
NXP（恩智浦）
PBSS5330PA - 30 V，3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
