类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
频率 | 100 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-89-3 |
极性 | PNP |
功耗 | 550 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
集电极最大允许电流 | 3A |
最小电流放大倍数 | 175 @1A, 2V |
额定功率(Max) | 1.6 W |
直流电流增益(hFE) | 200 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
耗散功率(Max) | 1600 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
NXP(恩智浦)
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Nexperia(安世)
NXP PBSS5330X,115 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=30 V, HFE:100, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装
NXP(恩智浦)
NXP PBSS5330X 单晶体管 双极, PNP, 30 V, 550 mW, 2 A, 200 hFE
NXP(恩智浦)
PBSS5330X 系列 30 V 3 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-89-3
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, PNP, -30 V, 165 MHz, 600 mW, -3 A, 100 hFE
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V 3A PNP LO VCEsat TRANSISTOR
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS5330X/MPT3/REEL 7" Q2/T3 *
NXP(恩智浦)
PBSS5330PA - 30 V,3 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
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