| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 300 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 2A |
| 最小电流放大倍数 | 80 |
| 直流电流增益(hFE) | 200 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.2 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 200 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -390mV/-0.39V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| 30 V low VCE(sat) PNP transistor FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) and corresponding low RCEsat • High collector current capability • High collector current gain • Improved efficiency due to reduced heat generation. • NPN complement: PBSS4350T. APPLICATIONS • Power management applications • Low and medium power DC/DC convertors • Supply line switching • Battery chargers • Linear voltage regulation with low voltage drop-out 描述与应用| 30伏的低VCE（sat）的PNP晶体管 特点 •低集电极 - 发射极饱和电压VCE（饱和）和相应的低RCEsat •高集电极电流能力 •高集电极电流增益 •由于产生的热量减少，提高了效率。 •NPN补充：PBSS4350T。 应用 •电源管理应用 •低功率和中功率DC/ DC转换器 •供电线路开关 •电池充电器 •线性电压调节，低电压降
NXP（恩智浦）
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PBSS5350X 系列 50 V 3 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-89-3
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Nexperia PBSS5350T,215 , PNP 晶体管, 2 A, Vce=50 V, HFE:80, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
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NXP PBSS5350T 单晶体管 双极, PNP, 50 V, 300 mW, 3 A, 200 hFE
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三极管(晶体管) PBSS5350X,135 SOT-89
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PBSS5350D 系列 50 V 3 A 表面贴装 低 VCEsat PNP 晶体管 - SOT-457
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PBSS5350D 系列 50 V 3 A 表面贴装 低 VCEsat PNP 晶体管 - SOT-457
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NXP PBSS5350Z 单晶体管 双极, PNP, 50 V, 1.35 W, 3 A, 200 hFE
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