| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 125 MHz |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | SOT-89-3 |
| 额定功率 | 2.5 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 2500 mW |
| 增益频宽积 | 125 MHz |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 最小电流放大倍数 | 150 @2A, 2V |
| 最大电流放大倍数 | 200 @0.5A, 2V |
| 额定功率(Max) | 1.6 W |
| 直流电流增益(hFE) | 300 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 4.6 mm |
| 宽度 | 2.6 mm |
| 高度 | 1.6 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia
●一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。
Nexperia（安世）
13 页 / 0.19 MByte
Nexperia（安世）
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia（安世）
16 页 / 0.2 MByte
Nexperia（安世）
72 页 / 3.63 MByte
Nexperia（安世）
NXP PBSS5480X,135 , PNP 晶体管, 4 A, Vce=80 V, HFE:80, 125 MHz, 4引脚 UPAK封装
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5480X,135 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 125 MHz, 550 mW, -4 A, 300 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PBSS5480X 单晶体管 双极, PNP, 80 V, 125 MHz, 550 mW, 4 A, 300 hFE
Nexperia（安世）
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
