类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | SOT-223 |
功耗 | 1.35 W |
最小电流放大倍数 | 250 |
直流电流增益(hFE) | 350 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
Philips(飞利浦)
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Philips(飞利浦)
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Nexperia(安世)
低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
Nexperia(安世)
NXP PBSS5540X,135 , PNP 晶体管, 4 A, Vce=40 V, HFE:50, 60 MHz, 4引脚 UPAK封装
NXP(恩智浦)
NXP PBSS5540Z,115 单晶体管 双极, PNP, -40 V, 120 MHz, 1.35 W, -5 A, 350 hFE
NXP(恩智浦)
PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
NXP PBSS5540Z 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 120 MHz, 1.35 W, 5 A, 350 hFE
NXP(恩智浦)
NXP PBSS5540X,135 单晶体管 双极, PNP, -40 V, 60 MHz, 550 mW, 5 A, 250 hFE
Nexperia(安世)
低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
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