| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | SOT-89 |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 100 V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 最小电流放大倍数 | 125 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 长度 | 4.6 mm |
| 宽度 | 2.6 mm |
| 高度 | 1.6 mm |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -120V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -100V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -1A 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 100MHZ 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 125~450 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.32V 耗散功率Pc Power dissipation | 描述与应用 Description & Applications | ■VCEsat低饱和电压 ■高集电极电流能力集成电路和ICM ■效率高导致更少的热量的一代
NXP（恩智浦）
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Nexperia（安世）
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
Nexperia（安世）
Nexperia PBSS9110Z,135 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:125, 100 MHz, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
Nexperia（安世）
NXP PBSS9110X,135 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:125, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装
NXP（恩智浦）
PBSS9110Y - 100 V、1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
NXP（恩智浦）
NXP PBSS9110X,135 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 550 mW, -1 A, 150 hFE
NXP（恩智浦）
PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
PNP 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
NXP PBSS9110Z,135 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 650 mW, -1 A, 150 hFE
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