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PBSS9110X
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PBSS9110X 数据手册 (15 页)
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PBSS9110X 技术参数、封装参数

PBSS9110X 外形尺寸、物理参数、其它

PBSS9110X 数据手册

NXP(恩智浦)
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PBSS9110 数据手册

Nexperia(安世)
低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
Nexperia(安世)
Nexperia PBSS9110Z,135 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:125, 100 MHz, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
Nexperia(安世)
NXP PBSS9110X,135 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:125, 100 MHz, 4引脚 UPAK封装
Nexperia(安世)
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
PBSS9110Y - 100 V、1 A PNP低VCEsat (BISS)晶体管
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS9110X,135  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 550 mW, -1 A, 150 hFE
NXP(恩智浦)
PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS9110Z,135  单晶体管 双极, PNP, -100 V, 100 MHz, 650 mW, -1 A, 150 hFE
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