| 类型 | 描述 |
|---|
| 频率 | 500 MHz |
| 额定电流 | 2.5 A |
| 封装 | PowerSO-10 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 31.7 W |
| 漏源击穿电压 | 40.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.50 A |
| 输出功率 | 3 W |
| 增益 | 17 dB |
| 测试电流 | 50 mA |
| 额定电压 | 40 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS PD55003-E 晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 31.7 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS PD55003L-E 晶体管, 射频FET, 40 V, 2.5 A, 14 W, 480 MHz, 520 MHz, SMD
ST Microelectronics（意法半导体）
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
ST Microelectronics（意法半导体）
RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
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