| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 500 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电流 | 5 A |
| 封装 | PowerSO-10RF |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 73 W |
| 漏源击穿电压 | 40.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.00 A |
| 输出功率 | 15 W |
| 增益 | 14 dB |
| 测试电流 | 150 mA |
| 输入电容值(Ciss) | 89pF @12.5V(Vds) |
| 工作温度(Max) | 165 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 73000 mW |
| 额定电压 | 40 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 7.5 mm |
| 宽度 | 9.4 mm |
| 高度 | 3.5 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 165℃ |
RF Mosfet LDMOS 12.5 V 150 mA 500MHz 14dB 15W PowerSO-10RF（直引线）
ST Microelectronics（意法半导体）
25 页 / 0.48 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
4 页 / 0.11 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS PD55015-E 晶体管, 射频FET, 40 V, 5 A, 73 W, 480 MHz, 520 MHz, PowerSO-10RF
ST Microelectronics（意法半导体）
PD55015-E系列 40 V 520 MHz N沟道 增强模式 射频 功率晶体管
ST Microelectronics（意法半导体）
RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs
ST Microelectronics（意法半导体）
RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
ST Microelectronics（意法半导体）
RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
