类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
频率 | 945 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电流 | 1 A |
封装 | PowerSO-10RF |
额定功率 | 20 W |
针脚数 | 3 Position |
极性 | N-Channel |
功耗 | 20 W |
阈值电压 | 5 V |
漏源极电压(Vds) | 65 V |
漏源击穿电压 | 65.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 1.00 A |
输出功率 | 6 W |
增益 | 15 dB |
测试电流 | 70 mA |
输入电容值(Ciss) | 27pF @28V(Vds) |
工作温度(Max) | 165 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 20000 mW |
额定电压 | 65 V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 7.5 mm |
宽度 | 9.4 mm |
高度 | 3.5 mm |
工作温度 | -65℃ ~ 165℃ |
射频 MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
●射频晶体管为 LDMOS,适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。
●### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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RF功率晶体管, LDMOST塑料家族的N沟道增强模式,横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
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