| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 最小电流放大倍数 | 30 @5mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 250 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| -50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 10KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 10KΩ/Ohm 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 30 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.25W/250mW Description & Applications| FEATURES • PNP resistor-equipped transistors • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Inverter and interface circuits • Circuit driver. 描述与应用| 特点 •PNP电阻配备晶体管 •内置偏置电阻 •简化电路设计 •减少元件数量 •减少取放成本。 应用 •通用开关和放大 •逆变器和接口电路 •电路驱动。
NXP（恩智浦）
14 页 / 0.17 MByte
Nexperia（安世）
双电阻器数字 PNP 晶体管，Nexperia### 数字晶体管，Nexperia配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Nexperia（安世）
双电阻器数字 PNP 晶体管，Nexperia### 数字晶体管，Nexperia配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Nexperia（安世）
Nexperia PDTA114YT,215 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21，1, 3引脚
NXP（恩智浦）
NXP PDTA114EU,115 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 200 mW, -100 mA, 30 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PDTA114ET,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, 100 mA, 30 hFE
Nexperia（安世）
Nexperia PDTA114TT,215 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia（安世）
Nexperia PDTA114YU,115 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21，1, 3引脚 UMT封装
NXP（恩智浦）
NXP PDTA114YE,115 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 150 mW, -100 mA, 100 hFE
Nexperia（安世）
Nexperia PDTA114TU,115 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 UMT封装
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
