类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | XDFN-3 |
功耗 | 940 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
最小电流放大倍数 | 33 @50mA, 5V |
额定功率(Max) | 325 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
增益带宽 | 150 MHz |
耗散功率(Max) | 940 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) PNP - 预偏压 表面贴装型 DFN1010D-3
Nexperia(安世)
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Nexperia(安世)
Nexperia PDTB113ZT,215 PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP(恩智浦)
NXP PDTB113ZT 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia PDTB113ET,215 PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia(安世)
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
NXP(恩智浦)
NXP PDTB113ZT,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFE
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped
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