| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-323-3 |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 425 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 500mA |
| 最小电流放大倍数 | 33 @50mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 增益带宽 | 140 MHz |
| 耗散功率(Max) | 425 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
NXP（恩智浦）
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Nexperia（安世）
Nexperia PDTB113ZT,215 PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP（恩智浦）
NXP PDTB113ZT 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFE
Nexperia（安世）
Nexperia PDTB113ET,215 PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia（安世）
晶体管 双极预偏置/数字, AEC-Q101, 单路PNP, -50 V, -500 mA, 1 kohm, 10 kohm, 0.1 电阻比率
NXP（恩智浦）
NXP PDTB113ZT,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFE
Nexperia（安世）
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped
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