| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 250 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 最小电流放大倍数 | 200 |
| 直流电流增益(hFE) | 200 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1 mm |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA/0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 4.7KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 电阻比(R1/R2) Resistance Ratio| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 200 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.25W /250mW Description & Applications| FEATURES • Built-in bias resistor R1 (typ. 4.7 kΩ) • Simplification of circuit design • Reduces number of components and board space. 描述与应用| 特性 •内置偏置电阻R1（典型值4.7kΩ） •简化电路设计 •减少元件数量和电路板空间
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Nexperia（安世）
双电阻器数字 NPN 晶体管，Nexperia### 数字晶体管，Nexperia配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Nexperia（安世）
NXP PDTC143ZU,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 UMT封装
Nexperia（安世）
Nexperia PDTC143XT,215 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.47, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia（安世）
PDTC143Z 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-23-3
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NXP PDTC143EU,115 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-323
Nexperia（安世）
PDTC143E 系列 50 V 100 mA NPN 表面贴装 晶体管 - SOT-323-3
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NXP PDTC143EU 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE
Nexperia（安世）
Nexperia PDTC143TT,215 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:无, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP（恩智浦）
NXP PDTC143ZT 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 230 MHz, 250 mW, 100 mA, 100 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PDTC143ET,215 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
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