PEMD12 数据手册 - NXP（恩智浦）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) Q1/Q2 | 50V/-50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) Q1/Q2 | 50V/-50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) Q1/Q2 | 100mA/-100mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 47KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 47KΩ/Ohm Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio | 1 Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 47KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 47KΩ/Ohm Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio | 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 80 截止频率fT Transtion Frequency(fT) Q1/Q2 | 耗散功率Pc Power Dissipation Q1/Q2 | 300mW/0.3W Description & Applications | Features • PNP/PNP resistor-equipped transistors; • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Reduction of component count • Reduced pick and place costs. APPLICATIONS • Low current peripheral driver • Replacement of general purpose transistors in digital applications • Control of IC inputs. 描述与应用 | 特点 •PNP / PNP电阻配备晶体管; •内置偏置电阻 •简化电路设计 •减少元件数量 •减少取放成本。 应用 •低电流的外设驱动程序 •通用晶体管数字应用的更换 •控制IC投入。