类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | SOT-669 |
漏源极电阻 | 0.0021 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 62.5 W |
阈值电压 | 700 mV |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 100 A |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
工作结温(Max) | 150 ℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
NXP(恩智浦)
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NXP(恩智浦)
N沟道的TrenchMOS超低水平FET N-channel TrenchMOS ultra low level FET
Nexperia(安世)
N沟道 VDS=20V VGS=±10V ID=100A P=62.5W
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