| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | SOT-669 |
| 漏源极电阻 | 0.0027 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 62.5 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 100 A |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温(Max) | 150 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V 最大漏极电流Id Drain Current | 100A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | VGS = 10 V; ID = 25 A RDS= 2.7~3.2 mΩ 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1~3V 耗散功率Pd Power Dissipation | 62.5W Description & Applications | 描述与应用 | n沟道增强型场效应功率晶体管 逻辑电平兼容 ■低闸极电荷 ■高密度安装 ■开态电阻非常低。
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N沟道增强模式音响场效晶体管 N-channel enhancement mode field-effect transistor
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PH3230S n沟道增强型场效应功率晶体管 30V 100A SOT669 代码 3230s 低闸极电荷
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