| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 5 Pin |
| 封装 | SOT-669 |
| 功耗 | 62.5 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 上升时间 | 37 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4100pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 62.5 W |
| 下降时间 | 37 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 62.5W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 30 V 100A（Tc） LFPAK56，Power-SO8
Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
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NXP（恩智浦）
N沟道增强模式音响场效晶体管 N-channel enhancement mode field-effect transistor
NXP（恩智浦）
PH3230S n沟道增强型场效应功率晶体管 30V 100A SOT669 代码 3230s 低闸极电荷
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