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PH5525L 数据手册 - NXP(恩智浦)
制造商:
NXP(恩智浦)
封装:
SOT-669
描述:
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PH5525L 数据手册
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PH5525L 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-669
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
25 V
连续漏极电流(Ids)
81.7A
输入电容值(Ciss)
2150pF @12V(Vds)
额定功率(Max)
62.5 W
PH5525L 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
PH5525L 符合标准
PH5525 数据手册
PH5525
L,115
数据手册
NXP(恩智浦)
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示例:
STM32F103
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