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PHD101NQ03LT
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PHD101NQ03LT 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:MOS管
封装:TO-252
描述:NXP  PHD101NQ03LT  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 30 V, 5 mohm, 10 V, 1.9 V
PDF文件:PHD101NQ03LT 数据手册 (13 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

PHD101NQ03LT 技术参数、封装参数

类型描述
封装TO-252
针脚数3 Position
漏源极电阻5 mΩ
极性N-Channel
功耗166 W
阈值电压1.9 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)75A
工作温度(Max)175 ℃
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PHD101NQ03LT 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
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PHD101NQ03LT 数据手册

PHD101NQ03LT 数据手册
NXP（恩智浦）
13 页 / 0.08 MByte
PHD101NQ03LT 其他数据使用手册
NXP（恩智浦）
14 页 / 0.29 MByte

PHD101NQ03 数据手册

PHD101NQ03LT 数据手册
NXP（恩智浦）
NXP  PHD101NQ03LT  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 30 V, 5 mohm, 10 V, 1.9 V
PHD101NQ03LT,118 数据手册
Nexperia（安世）
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=75A P=166W
PHD101NQ03LT,118 数据手册
NXP（恩智浦）
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