| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TO-252 |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 输入电容值(Ciss) | 250pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 33 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 最大漏极电流Id Drain Current| 10.3A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.05Ω/Ohm @10300mA，10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 耗散功率Pd Power Dissipation| 3.3W Description & Applications| TrenchMOS™ standard level FET N-channel standard level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology Fast switching Low on-state resistance. 描述与应用| TrenchMOS标准水平FET N沟道标准水平场效应功率晶体管在一个塑料包装使用 的TrenchMOS™1技术 快速开关 低通态电阻
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
PHD3055E N沟道MOSFET 60V 10.3A TO-252/D-PAK marking/标记 PHD3055E 雪崩能量/桥电路中使用
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