类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | TO-252-3 |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 44.7A |
输入电容值(Ciss) | 800pF @20V(Vds) |
额定功率(Max) | 57.6 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
NXP(恩智浦)
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Nexperia(安世)
N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=44.7A P=57.6W
NXP(恩智浦)
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET
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