| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TO-252-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 57.6 W |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 44.7A |
| 输入电容值(Ciss) | 800pF @20V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 57.6 W |
| 耗散功率(Max) | 57.6W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
NXP（恩智浦）
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Nexperia（安世）
N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=44.7A P=57.6W
NXP（恩智浦）
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET
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