最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 25V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 最大漏极电流Id Drain Current| 4A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 耗散功率Pd Power Dissipation| 65W Description & Applications| TrenchMOS™ Logic Level FET N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Low on-state resistance Fast switching. 描述与应用| TrenchMOS™逻辑电平FET N沟道逻辑电平场效应功率晶体管在一个塑料包装使用 的TrenchMOS™技术。 低通态电阻 快速切换
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
PHD55N03LTA N沟道MOSFET 25V 4A TO-252/D-PAK marking/标记 PHD55N03LTA 雪崩能量/桥电路中使用
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