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PHE13009/DG,127
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PHE13009/DG,127 数据手册 - We En Semiconductor

制造商:We En Semiconductor
分类:双极性晶体管
封装:TO-220-3
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PHE13009/DG,127 数据手册 (8 页)
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PHE13009/DG,127 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
极性NPN
击穿电压(集电极-发射极)400 V
集电极最大允许电流12A
最小电流放大倍数8 @5A, 5V
额定功率(Max)80 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)80000 mW
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PHE13009/DG,127 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Rail
材质Silicon
工作温度150℃ (TJ)
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PHE13009/DG,127 数据手册

PHE13009/DG,127 数据手册
We En Semiconductor
8 页 / 0.12 MByte
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