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PHK12NQ10T
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PHK12NQ10T 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:MOS管
封装:SO
描述:N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FET
PDF文件:PHK12NQ10T 数据手册 (1 页)
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PHK12NQ10T 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数8 Pin
封装SO
极性N-Channel
功耗8.90 W
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)11.6A
上升时间21 ns
输入电容值(Ciss)1965pF @25V(Vds)
下降时间11 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)8900 mW
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PHK12NQ10T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
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