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PHKD6N02LT
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PHKD6N02LT 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:MOS管
封装:SO
描述:双N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET Dual N-channel TrenchMOS logic level FET
PDF文件:PHKD6N02LT 数据手册 (1 页)
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PHKD6N02LT 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数8 Pin
封装SO
极性N-CH
功耗4.17 W
漏源极电压(Vds)20 V
连续漏极电流(Ids)10.9A
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PHKD6N02LT 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
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PHKD6N02LT 数据手册

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