PHN210T 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:	NXP（恩智浦）
封装:	SOIC
描述:	双N沟道增强模式 Dual N-channel enhancement mode
PDF文件:	PHN210T 数据手册 (13 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

PHN210T 技术参数、封装参数

类型	描述
封装	SOIC

类型	描述
产品生命周期	Unknown

NXP（恩智浦）

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NXP（恩智浦）

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NXP（恩智浦）

双N沟道增强模式的TrenchMOS晶体管 Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor

Philips（飞利浦）

Nexperia（安世）

NXP（恩智浦）

NXP PHN210T,118 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.2 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 2 V

Nexperia（安世）

双 N 通道 MOSFET，Nexperia### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors

NXP（恩智浦）

双N沟道增强模式 Dual N-channel enhancement mode

NXP（恩智浦）

Nexperia（安世）

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