| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.08 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.40 A |
| 上升时间 | 8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 250pF @20V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2 W |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.45 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
NXP（恩智浦）
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双N沟道增强模式的TrenchMOS晶体管 Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
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Nexperia（安世）
双 N 通道 MOSFET，Nexperia### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
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双N沟道增强模式 Dual N-channel enhancement mode
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