类型 | 描述 |
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封装 | TO-236 |
极性 | NPN |
击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
集电极最大允许电流 | 0.1A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 180MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV~300mV 耗散功率PcPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 40 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification, e.g. telephony and professional communication equipment. DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT23 package. 描述与应用| 特点 •低电流(最大100 mA) •低电压(最大40 V)。 应用 •通用开关和放大,如 电话和专业的通信设备。 说明 在一个塑料SOT23封装的NPN晶体管。
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