| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | XFDFN-6 |
| 极性 | N+P |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.6A/0.5A |
| 输入电容值(Ciss) | 21.3pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 265 mW |
Nexperia（安世）
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 600 mA, 20 V, 0.47 ohm, 4.5 V, 700 mV
NXP（恩智浦）
20V时，互补的N / P沟道MOSFET的沟道 20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET
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