类型 | 描述 |
---|
封装 | DFN-2020 |
针脚数 | 6 Position |
漏源极电阻 | 0.032 Ω |
功耗 | 490 mW |
阈值电压 | 650 mV |
输入电容 | 660 pF |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 20V 4A(Ta) 490mW(Ta),8.33W(Tc) 表面贴装型 6-HUSON-EP(2x2)
Nexperia(安世)
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Nexperia(安世)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.3 A, 20 V, 0.032 ohm, 4.5 V, 650 mV
Nexperia(安世)
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 20 V, 4 A, 0.032 ohm, DFN2020, 表面安装
NXP(恩智浦)
NXP PMDPB30XN 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.3 A, 20 V, 0.032 ohm, 4.5 V, 650 mV
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