| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOT-1118 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.058 Ω |
| 极性 | Dual P-Channel |
| 功耗 | 515 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.5A |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
NXP（恩智浦）
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Nexperia（安世）
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -700 mV
NXP（恩智浦）
NXP PMDPB58UPE 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -700 mV
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