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PMDPB58UPE,115
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PMDPB58UPE,115 数据手册 - Nexperia（安世）

制造商:Nexperia（安世）
分类:晶体管
封装:uDFN-6
描述:双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -700 mV
PDF文件:PMDPB58UPE,115 数据手册 (2 页)
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PMDPB58UPE,115 数据手册 (2 页)
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PMDPB58UPE,115 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装uDFN-6
针脚数8 Position
漏源极电阻0.058 Ω
功耗1.21 W
阈值电压700 mV
输入电容804 pF
漏源极电压(Vds)20 V
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)804pF @10V(Vds)
额定功率(Max)515 mW
下降时间14 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)515 mW
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PMDPB58UPE,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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PMDPB58UPE,115 数据手册

PMDPB58UPE,115 数据手册
Nexperia（安世）
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PMDPB58 数据手册

PMDPB58UPE,115 数据手册
Nexperia（安世）
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -700 mV
PMDPB58UPE 数据手册
NXP（恩智浦）
NXP  PMDPB58UPE  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -700 mV
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