| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | SOT-666 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.29 Ω |
| 极性 | N-Channel, P-Channel |
| 功耗 | 330 mW |
| 阈值电压 | 750 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.8A/0.55A |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 0.39 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 长度 | 1.7 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 0.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
NXP（恩智浦）
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Nexperia（安世）
Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET PMDT290UNE,115, 800mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-666封装
Nexperia（安世）
Nexperia 双 Si N/P沟道 MOSFET PMDT290UCE,115, 550 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-666封装
NXP（恩智浦）
NXP PMDT290UCE 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 800 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 750 mV
NXP（恩智浦）
NXP PMDT290UNE 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 800 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 750 mV
Nexperia（安世）
双 N/P 通道 MOSFET，Nexperia### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
PMDT290UCE - 20 / 20 V，800 / 550 mA N/P沟道Trench MOSFET
Nexperia（安世）
双 N 通道 MOSFET，Nexperia### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
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