| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | DFN-6 |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 输入电容值(Ciss) | 21.3pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 265 mW |
| 耗散功率(Max) | 265 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 600 mA, 20 V, 0.47 ohm, 4.5 V, 700 mV
Nexperia（安世）
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 600 mA, 20 V, 0.47 ohm, 4.5 V, 700 mV
NXP（恩智浦）
NXP PMDXB600UNE 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 600 mA, 20 V, 0.47 ohm, 4.5 V, 700 mV
NXP（恩智浦）
PMDXB600UNE 系列 20 V 620 mOhm 双通道 N 沟道 Trench Mosfet - DFN1010B-6
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