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PMDXB600UNEZ
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PMDXB600UNEZ 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:MOS管
封装:XFDFN-6
描述:PMDXB600UNE 系列 20 V 620 mOhm 双通道 N 沟道 Trench Mosfet - DFN1010B-6
PDF文件:PMDXB600UNEZ 数据手册 (16 页)引脚图在3 页Hot
封装尺寸在11 页
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PMDXB600UNEZ 数据手册 (16 页)
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PMDXB600UNEZ 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装XFDFN-6
极性Dual N-Channel
功耗380 mW
漏源极电压(Vds)20 V
上升时间9.2 ns
输入电容值(Ciss)21.3pF @10V(Vds)
额定功率(Max)265 mW
下降时间51 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)380 mW
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PMDXB600UNEZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
高度0.36 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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PMDXB600UNEZ 数据手册

PMDXB600UNEZ 数据手册
NXP（恩智浦）
16 页 / 0.35 MByte
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