| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | DFN1010B-6 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.47 Ω |
| 功耗 | 380 mW |
| 阈值电压 | 450 mV, 450 mV |
| 输入电容 | 21.3 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | ±20 V |
| 上升时间 | 9.2 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 21.3pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 265 mW |
| 下降时间 | 51 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 380 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia（安世）
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 600 mA, 20 V, 0.47 ohm, 4.5 V, 700 mV
Nexperia（安世）
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 600 mA, 20 V, 0.47 ohm, 4.5 V, 700 mV
NXP（恩智浦）
NXP PMDXB600UNE 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 600 mA, 20 V, 0.47 ohm, 4.5 V, 700 mV
NXP（恩智浦）
PMDXB600UNE 系列 20 V 620 mOhm 双通道 N 沟道 Trench Mosfet - DFN1010B-6
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