| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | XFDFN-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 1.02 Ω |
| 功耗 | 265 mW |
| 阈值电压 | 700 mV |
| 输入电容 | 43 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 43pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 265 mW |
| 下降时间 | 6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 380 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 500mA 265mW 表面贴装型 DFN1010B-6
Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -500 mA, -20 V, 1.02 ohm, -4.5 V, -700 mV
Nexperia（安世）
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -500 mA, -20 V, 1.02 ohm, -4.5 V, -700 mV
NXP（恩智浦）
NXP PMDXB950UPE 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -500 mA, -20 V, 1.02 ohm, -4.5 V, -700 mV
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