| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-363 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.87A |
NXP（恩智浦）
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Nexperia（安世）
双 N 通道 MOSFET，Nexperia### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
NXP PMGD280UN,115 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 200 mA, 20 V, 0.28 ohm, 4.5 V, 700 mV
NXP（恩智浦）
双N沟道mTrenchMOS超低水平FET Dual N-channel mTrenchMOS ultra low level FET
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