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PMGD370XN,115
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PMGD370XN,115 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:MOS管
封装:SOT-363-6
描述:PMGD370XN - 双N沟道TrechMOS极低电平FET
PDF文件:PMGD370XN,115 数据手册 (12 页)引脚图在1 页Hot
封装尺寸在9 页
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PMGD370XN,115 数据手册 (12 页)
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PMGD370XN,115 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装SOT-363-6
通道数2 Channel
极性Dual N-Channel
功耗0.41 W
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)740 mA
输入电容值(Ciss)37pF @25V(Vds)
额定功率(Max)410 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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PMGD370XN,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
宽度1.35 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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PMGD370XN,115 数据手册

PMGD370XN,115 数据手册
NXP（恩智浦）
12 页 / 0.08 MByte
PMGD370XN,115 其他数据使用手册
NXP（恩智浦）
26 页 / 0.29 MByte
PMGD370XN,115 其他参考文件
NXP（恩智浦）
1 页 / 0.13 MByte

PMGD370 数据手册

PMGD370XN,115 数据手册
NXP（恩智浦）
PMGD370XN - 双N沟道TrechMOS极低电平FET
PMGD370XN 数据手册
NXP（恩智浦）
NXP  PMGD370XN  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 740 mA, 30 V, 0.37 ohm, 4.5 V, 1 V
PMGD370XN,115 数据手册
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PMGD370XN 数据手册
Nexperia（安世）
双 N 通道 MOSFET，Nexperia### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
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