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PMGD780SN,115
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PMGD780SN,115 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:MOS管
封装:SOT-323-6
描述:NXP  PMGD780SN,115  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 300 mA, 60 V, 0.78 ohm, 10 V, 2 V
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PMGD780SN,115 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装SOT-323-6
针脚数6 Position
漏源极电阻0.78 Ω
极性N-Channel, Dual N-Channel
功耗410 mW
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)490 mA
上升时间4 ns
输入电容值(Ciss)23pF @30V(Vds)
额定功率(Max)410 mW
下降时间2.2 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)0.41 W
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PMGD780SN,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.2 mm
宽度1.35 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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PMGD780SN,115 数据手册

PMGD780SN,115 数据手册
NXP（恩智浦）
14 页 / 0.21 MByte
PMGD780SN,115 其他数据使用手册
NXP（恩智浦）
206 页 / 0.21 MByte
PMGD780SN,115 其他参考文件
NXP（恩智浦）
1 页 / 0.13 MByte

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