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PMGD8000LN,115
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PMGD8000LN,115 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:MOS管
封装:SOT-323-6
PDF文件:PMGD8000LN,115 数据手册 (12 页)引脚图在1 页Hot
封装尺寸在9 页
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PMGD8000LN,115 数据手册 (12 页)
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PMGD8000LN,115 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装SOT-323-6
极性Dual N-Channel
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)125 mA
上升时间7 ns
输入电容值(Ciss)18.5pF @5V(Vds)
额定功率(Max)200 mW
下降时间7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)200 mW
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PMGD8000LN,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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PMGD8000LN,115 数据手册

PMGD8000LN,115 数据手册
NXP（恩智浦）
12 页 / 0.22 MByte
PMGD8000LN,115 其他数据使用手册
NXP（恩智浦）
5 页 / 0.3 MByte
PMGD8000LN,115 其他参考文件
NXP（恩智浦）
1 页 / 0.13 MByte

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