类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | SOIC-8 |
功耗 | 6.9 W |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
上升时间 | 8 ns |
输入电容值(Ciss) | 2240pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 6.9 W |
下降时间 | 21 ns |
耗散功率(Max) | 6.9W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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P沟道的TrenchMOS极低水平FET P-channel TrenchMOS extremely low level FET
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场效应管(MOSFET) PMK30EP SOP8
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