| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SO-8 |
| 功耗 | 6.9W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2240pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 6.9 W |
| 下降时间 | 21 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 6.9W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Nexperia（安世）
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NXP（恩智浦）
P沟道的TrenchMOS极低水平FET P-channel TrenchMOS extremely low level FET
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场效应管(MOSFET) PMK30EP SOP8
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