| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 250 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 最小电流放大倍数 | 200 |
| 直流电流增益(hFE) | 300 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 0.25 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 3 mm |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 高度 | 1 mm |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 900 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV~500mV 耗散功率PcPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| NPN BISS transistor FEATURES • High current (max. 1 A) • Low collector-emitter saturation voltage ensures reduced power consumption. APPLICATIONS • Battery powered units where high current and low power consumption are important. DESCRIPTION NPN BISS (Breakthrough In Small Signal) transistor in a SOT23 plastic package. 描述与应用| NPN BISS晶体管 特点 •高电流（最大1 A） •低集电极 - 发射极饱和电压确保 降低功耗。 应用 •电池供电的设备，如高电流和低功耗 消耗是重要的。 说明 NPN突破性小信号（BISS）晶体管的 SOT23塑料包装。
Nexperia（安世）
Nexperia PMMT491A,215 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:200, 150 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP（恩智浦）
NXP PMMT491A,215 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 150 MHz, 250 mW, 1 A, 300 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PMMT491A 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 mW, 1 A, 300 hFE
Nexperia（安世）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-11
Nexperia（安世）
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
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