| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 150 MHz |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 250 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 最小电流放大倍数 | 300 @100mA, 5V |
| 最大电流放大倍数 | 300 @1mA, 5V |
| 额定功率(Max) | 250 mW |
| 直流电流增益(hFE) | 300 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
NXP（恩智浦）
206 页 / 0.21 MByte
NXP（恩智浦）
72 页 / 3.63 MByte
Nexperia（安世）
Nexperia PMMT591A,215 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=40 V, HFE:160, 150 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP（恩智浦）
NXP PMMT591A,215 单晶体管 双极, PNP, -40 V, 150 MHz, 250 mW, -1 A, 300 hFE
NXP（恩智浦）
NXP PMMT591A 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 250 mW, 1 A, 300 hFE
Nexperia（安世）
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia
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