| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOT-1220 |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0165 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 1.7 W |
| 阈值电压 | 1.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.2A |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 12.5 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 长度 | 2.1 mm |
| 宽度 | 2.1 mm |
| 高度 | 0.65 mm |
NXP（恩智浦）
15 页 / 0.26 MByte
NXP（恩智浦）
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Nexperia（安世）
Nexperia Si N沟道 MOSFET PMPB20EN,115, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 DFN2020封装
Nexperia（安世）
晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 20 V, 0.016 ohm, 4.5 V, 1 V
Nexperia（安世）
P沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=7.2A P=1.7W
Nexperia（安世）
N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=7.5A P=460mW
Nexperia（安世）
晶体管, MOSFET, P沟道, -7.2 A, -20 V, 0.019 ohm, -4.5 V, -700 mV
Nexperia（安世）
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=7.2A P=1.7W
NXP（恩智浦）
NXP PMPB20EN 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.4 A, 30 V, 0.0165 ohm, 10 V, 1.5 V
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