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PMR400UN,115
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PMR400UN,115 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:NXP（恩智浦）
分类:MOS管
封装:SOT-416-3
描述:NXP  PMR400UN,115  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 700 mV
PDF文件:PMR400UN,115 数据手册 (15 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

PMR400UN,115 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-416-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.4 Ω
极性N-Channel
功耗530 mW
阈值电压700 mV
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)800 mA
输入电容值(Ciss)43pF @25V(Vds)
额定功率(Max)530 mW
工作温度(Max)150 ℃
耗散功率(Max)530mW (Tc)
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PMR400UN,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape & Reel (TR)
宽度0.9 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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PMR400UN,115 数据手册

PMR400UN,115 数据手册
NXP（恩智浦）
15 页 / 0.31 MByte
PMR400UN,115 其他数据使用手册
NXP（恩智浦）
13 页 / 0.21 MByte

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N沟道mTrenchMOS超低水平FET N-channel mTrenchMOS ultra low level FET
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