类型 | 描述 |
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引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-416 |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
上升时间 | 7.5 ns |
输入电容值(Ciss) | 43pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 530 mW |
下降时间 | 4.5 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 530 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
Nexperia(安世)
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NXP(恩智浦)
NXP PMR400UN,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 30 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 700 mV
NXP(恩智浦)
N沟道mTrenchMOS超低水平FET N-channel mTrenchMOS ultra low level FET
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